窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024222
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】光透過性電極を形成した面を主光取り出し面側とし、発光効率を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にそれぞれ窒化ガリウム系化合物半導体からなるバッファ層2とn型コンタクト層3と発光層4とp型クラッド層5とp型コンタクト層6とが順に積層され、さらにp型コンタクト層6上に光透過性電極7が形成され、光透過性電極7上にはp側電極8が、n型コンタクト層3上にはn側電極9がそれぞれ形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に対し、p型コンタクト層6に光透過性電極7側から窪む凹部11を複数個形成することにより、発光層4から発せられ、発光素子内部を横方向に伝播する光が凹部11より発光素子外部へ取り出されやすくなり、全体として発光効率が改善される。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる第一導電型コンタクト層と発光層と第二導電型コンタクト層とが積層され、さらに前記第二導電型コンタクト層上に光透過性電極が形成される窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記第二導電型コンタクト層に前記光透過性電極側から窪む凹部が複数個形成されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041DA07 , 5F041DA44

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭50-105286
特公昭51-018788
特開平3-129882

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