特許

J-GLOBAL ID：200903025918936635

半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 剛 ,  石村 裕昭 ,  工藤 豊 ,  坂口 正道 ,  高田 和男
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222310
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063921
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】半導体装置の製造方法に関し、半導体素子の特性が良い素子分離構造の形状を形成する。【解決手段】絶縁膜をマスクとした半導体基板を、HBrおよびCHF3からなるガスを用いてエッチングし、マスク側壁に半導体基板との反応生成物を徐々に付着させることにより、トレンチ上端部に十分な丸みを持つトレンチを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を含む多層膜を形成する工程と、前記多層膜上に塗布されたレジストをパターンニングしレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクにより前記多層膜をエッチングする工程と、前記エッチング後前記レジストマスクを除去する工程と、該レジストが除去された前記多層膜をマスクとして半導体基板のトレンチ加工を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/76 ,  H01L21/3065

FI (2件)：

H01L21/76 L ,  H01L21/302 105A

Fターム (13件)：

5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004EB04 ,  5F032AA36 ,  5F032AA37 ,  5F032AA67 ,  5F032CA24 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA27

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-161928   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-374107   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-333274   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-194459   出願人：セイコーエプソン株式会社