半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161928
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345375
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【目的】電界集中などのない良好な素子分離領域のトレンチ部を形成する。【構成】半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクとして、HBrおよびCF4を含むガスを用いて半導体基板をエッチングする第1のエッチング工程と、マスク層をマスクとして、HBrを含むガスを用いて半導体基板をエッチングする第2のエッチングを行い、トレンチ部を形成する第2のエッチング工程と、トレンチ部を埋め込む酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、素子分離領域に対応した開口部を有するマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして、HBrおよびCF4を含むガスを用いて前記半導体基板をエッチングする第1のエッチング工程と、前記マスク層をマスクとして、HBrを含むガスを用いて前記半導体基板をエッチングする第2のエッチングを行い、トレンチ部を形成する第2のエッチング工程と、前記トレンチ部を埋め込む酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/302 J , H01L 21/302 F

Fターム (22件)：

5F004AA11 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DB01 , 5F004EA28 , 5F004EB04 , 5F004FA08 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA74 , 5F032AA77 , 5F032CA24 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA26 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-116687 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-292792 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-035882 出願人：株式会社日立製作所

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