特許

J-GLOBAL ID：200903025943067765

電子デバイス及び電子機器

発明者： 岩下 節也 ,  樋口 天光 ,  宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085812
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347612
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 無機アモルファス層又は有機固体層の上にペロブスカイト型酸化物薄膜を所望の方向にエピタキシャル成長させて電子デバイスの高性能化を図るとともに、更には、ICと集積化させて高性能な電子デバイスを提供する。【解決手段】無機アモルファス層又は有機固体層2の上に酸化物薄膜層3、4を形成し、更に、ペロブスカイト型酸化物薄膜5をエピタキシャル成長させる。ここで前記酸化物薄膜層3、4は酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、イットリウム安定化酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムのうち少なくとも一つであり得、また上記無機アモルファス層又は有機固体層2は酸化シリコンであり得、また前記ペロブスカイト型酸化物薄膜5には、例えば圧電材料又は強誘電体を用いる。

請求項（抜粋）：

無機アモルファス層と該アモルファス層上に形成した酸化物薄膜層と、更に該酸化物薄膜層上にエピタキシャル成長させたペロブスカイト型酸化物薄膜を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (7件)：

H01L 41/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/25

FI (8件)：

H03H 9/17 F ,  H03H 9/25 C ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 C

Fターム (24件)：

5F083AD14 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25 ,  5J097AA06 ,  5J097BB01 ,  5J097EE10 ,  5J097FF02 ,  5J097FF03 ,  5J097FF05 ,  5J097FF07 ,  5J097HA03 ,  5J097HA07 ,  5J097KK09 ,  5J108AA00 ,  5J108BB00 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108JJ04 ,  5J108KK01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076272   出願人：ソニー株式会社
• シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-213906   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを有する半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-066646   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 結晶性酸化物誘電体薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびそれを用いた電子素子およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262697   出願人：日産自動車株式会社