特許
J-GLOBAL ID：200903033816092559

酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ

発明者：
鈴木 真之

鈴木 真之 について

, 
網 隆明

網 隆明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076272
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270653
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体不揮発性メモリなどを最適構造で実現可能な酸化物積層構造およびその製造方法ならびにそのような酸化物積層構造を利用した強誘電体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 1トランジスタ1キャパシタ型の強誘電体不揮発性メモリにおいて、(100)面方位のSi上に(100)面方位のCeO2 膜を介して(001)面方位の強誘電体薄膜8を積層し、この強誘電体薄膜8上に電極9、10を設けてキャパシタを形成する。あるいは、FETのドレイン領域上に単結晶Siからなるプラグを設け、このプラグ上に同様な構造のキャパシタを設ける。また、FET型強誘電体不揮発性メモリにおいて、ゲートおよびチャネル部を同様な酸化物積層構造により形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、上記シリコン基板上の、酸化セリウムからなり、かつ、(100)面方位を有するバッファ層と、上記バッファ層上の、ペロブスカイト型結晶構造、イルメナイト型結晶構造またはGdFeO3 型結晶構造を有する(Ba,Sr,Ca,Pb,Mg,Bi,Li,Ag,Na,K,Y,Ln)(Ti,Zr,Hf,Sn,Th,Ce,Ru,Rh,Ir,Cu,Ga,Al,Nb,Ta,Sb,Bi,Pb,W,V)O3 (ただし、Ba+Sr+Ca+Pb+Mg+Bi+Li+Ag+Na+K+Y+Ln=1、Ti+Zr+Hf+Sn+Th+Ce+Ru+Rh+Ir+Cu+Ga+Al+Nb+Ta+Sb+Bi+Pb+W+V=1)からなる強誘電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする酸化物積層構造。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451 ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  C30B 29/16 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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