特許
J-GLOBAL ID：200903025977732385

電子源

発明者：
竹内 大輔

竹内 大輔 について

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牧野 俊晴

牧野 俊晴 について

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山崎 聡

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出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178510
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016252
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】 励起子を応用しながら室温動作する、高電圧不要かつ低真空動作可能な、高効率・連続高出力の電子源を提供する。【解決手段】 本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
p型半導体層と、前記p型半導体層に接して形成された励起子の束縛エネルギーが高い間接遷移型半導体で構成された活性層と、前記活性層に接して形成されたn型半導体層とを備え、その活性層が負の電子親和力表面を有しており、前記p型半導体層とn型半導体層のそれぞれに接して、あるいは低抵抗層を介して形成した電極から構成されていることを特徴とする電子源。
IPC (1件)：
H01J 1/304
FI (1件)：
H01J1/30 F
Fターム (7件)：
5C135AA09 ,  5C135AB06 ,  5C135AB12 ,  5C135GG03 ,  5C135GG12 ,  5C135HH03 ,  5C135HH08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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