特許
J-GLOBAL ID:200903025978073717

レジスト材料及びパタ-ン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-296218
公開番号(公開出願番号):特開2000-194127
出願日: 1999年10月19日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【解決手段】 (A)酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂、(B)放射線照射により酸を発生する化合物、(C)テトラメチレンスルホン、(D)テトラメチレンスルホン以外の溶剤を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は、溶剤にテトラメチレンスルホンを用いたことにより、溶解性、保存安定性、塗布性に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮する。
請求項(抜粋):
溶剤としてテトラメチレンスルホンを含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (3件)

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