特許
J-GLOBAL ID：200903025981370870

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
山本 弘明

山本 弘明 について

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南朴木 孝至

南朴木 孝至 について

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増岡 真二

増岡 真二 について

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二宮 啓樹

二宮 啓樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-160611
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311591
出願日： 2007年06月18日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】 安全にかつ短時間で基板の残留有機物を除去することができる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】 冷却された純水またはオゾン水にオゾンガスを混合してオゾンを溶解し、高濃度となった低温高濃度のオゾン水を加熱手段3によって加熱して、その高温高濃度のオゾン水を密閉された基板処理槽25へ供給して大気圧よりも高い高圧状態とし、加熱によってオゾン水中から出る飽和溶解度以上の無駄となるオゾンガスを減少させ、高温高濃度のオゾン水のオゾンによる反応を促進する。基板処理槽25内では、ポンプP2によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に残留している残留有機物を、オゾン水中に前記基板を浸漬させて除去する基板処理装置において、 大気圧よりも圧力の高いオゾンガスを発生し、そのオゾンガスを低温の純水またはオゾン水に溶解させて、高濃度のオゾン水を生成する高濃度オゾン水生成手段と、 高濃度オゾン水生成手段によって生成された高濃度オゾン水を加熱する高濃度オゾン水加熱手段と、 加圧高濃度オゾン水が貯留され、この貯留された高濃度オゾン水に前記基板を浸漬させて洗浄する基板処理槽と、 前記高濃度オゾン水生成手段で発生したオゾンガスの一部を、基板処理槽内に導くオゾンガス供給手段と、 基板処理槽内の気相の圧力を、大気圧よりも高い予め定める圧力に維持する圧力制御弁とを含むことを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L21/304 642A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B
Fターム (22件)：
5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA06 ,  5F046MA10 ,  5F157AA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA64 ,  5F157AA91 ,  5F157AB03 ,  5F157AB34 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BB05 ,  5F157BB07 ,  5F157BB08 ,  5F157BB76 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157BD33 ,  5F157CF40 ,  5F157CF90 ,  5F157DB03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3691985号公報
審査官引用 (6件)
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