特許
J-GLOBAL ID：200903098789497511

半導体ウエハ等のワークピースを処理するための方法及び装置

発明者：
エリック・ジェイ・バーグマン

エリック・ジェイ・バーグマン について


出願人/特許権者：
セミトゥール・インコーポレイテッド

セミトゥール・インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-119518
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261685
出願日： 2006年04月24日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】半導体ウエハ及びこれに類似する基板の汚染物を低減する新規で化学的なシステム及びその応用技術を提供する。【解決手段】液体薬剤の流れがワークピース20の表面に供給される。液体処理流れ60中、又は処理環境15中のいずれかにオゾンが供給される。オゾンは、好ましく大容量オゾン生成器75によって生成される。液体又は蒸気の形態の化学的な流れは、システム内のウエハ20に供給され、これによりワークピース表面に形成される境界層を制御することが可能となる。化学的な流れは、粒子及び有機物を同時に除去するための水酸化アンモニウム、溶液のpHを高めるためのその他の薬剤、又は1つもしくは複数の特定の洗浄処理を行うようになっているその他の化学添加物などの成分を含んでいてもよい。特別の応用技術は、ウエハ表面上の液体の境界層を制御するようになっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ワークピースをオゾンガスで処理し、上記ワークピースから汚染物又は膜を除去する方法であって、 上記ワークピースにスチームを供給し、該スチームの少なくとも一部を凝縮させて上記ワークピースの上に液体層を形成するステップと、 上記ワークピースのまわりにオゾンガスを導入し、該オゾンガスを、上記液体層を通して拡散させて上記ワークピースの上の汚染物又は膜と化学的に反応させるステップと、 上記ワークピースの温度を制御して、上記ワークピース上でのスチームの凝縮を維持するステップとを含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08
FI (5件)：
H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648G ,  B08B3/02 B ,  B08B3/08 Z
Fターム (7件)：
3B201AA03 ,  3B201AB23 ,  3B201BB24 ,  3B201BB82 ,  3B201BB94 ,  3B201BB96 ,  3B201BB98
引用特許：
審査官引用 (4件)
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