パターン形成方法と半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335138
公開番号（公開出願番号）：特開2002-139842
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】二層構造からなるレジスト層の露光処理を1回の露光処理で行うことができ、スループットが良く、かつ安定な断面形状を有する0.1μm未満のゲートが得られる電界効果型トランジスタのパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板上に第一のレジスト層を形成する工程と、該第一のレジスト層の上に該第一のレジスト層より高い感度を有する化学増幅型の第二のレジスト層を形成する工程と、該第一のレジスト層に十分感光可能な露光を行う工程と、該第二のレジスト層および該第一のレジスト層を逐次現像する工程とを含み、該第一のレジスト層に該第二のレジスト層の開口部の寸法より小さい開口部を形成するパターン形成方法となるように構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に第一のレジスト層を形成する工程と、該第一のレジスト層の上に該第一のレジスト層より高い感度を有する化学増幅型の第二のレジスト層を形成する工程と、該第一のレジスト層に十分感光可能な露光を行う工程と、該第二のレジスト層および該第一のレジスト層を逐次現像する工程とを含み、該第一のレジスト層に該第二のレジスト層の開口部の寸法より小さい開口部を形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/095 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/095 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 541 P , H01L 21/30 568 , H01L 21/30 573

Fターム (23件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025DA13 , 2H025FA12 , 2H025FA29 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA06 , 2H096KA02 , 2H096KA25 , 5F046NA01 , 5F046NA12 , 5F046NA13 , 5F056AA01 , 5F056DA02 , 5F056DA13

引用特許：

審査官引用 (11件)

X線マスクおよびその製造方法と、該マスクを用いた露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011801 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-031135
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-228887 出願人：株式会社リコー

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