特許
J-GLOBAL ID：200903087203167230

半導体装置の製造方法

発明者：
角 博文

角 博文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-352914
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172922
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 拡散層上にCoSi2 膜を形成しても、高速、低消費電力及び微細な半導体装置を高い歩留りで製造する。【解決手段】 拡散層16、17を形成するためのイオン注入に起因する結晶欠陥を除去するために、相対的に低温で且つ相対的に長時間の熱処理を行い、拡散層16、17中の不純物を活性化させるために、相対的に高温で且つ相対的に短時間の熱処理を行う。このため、熱応力に起因する新たな結晶欠陥の発生を防止することができ、その後のCoSi2 膜19の形成に際して結晶欠陥に沿うCoSi2 膜19の形成を防止することができる。
請求項（抜粋）：
Si基板に不純物をイオン注入して拡散層を形成し、前記Si基板上に形成したCo膜と前記Si基板とを反応させて前記拡散層上にCoSi2 膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記反応よりも前に、相対的に低温で且つ相対的に長時間の第1の熱処理を行って前記イオン注入に起因する前記Si基板の結晶欠陥を除去する工程と、前記反応よりも前に、相対的に高温で且つ相対的に短時間の第2の熱処理を行って前記不純物を活性化させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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