特許
J-GLOBAL ID:200903026105107085

半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 勇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-093321
公開番号(公開出願番号):特開2004-006771
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】突起電極の先端を保護すると共に、容易かつ強固に製造できる半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ1と、当該半導体チップ1の電極パッド上に付設された突起電極2と、半導体チップ1の電極パッドが形成された面を覆う接着剤層3とを備えている。そして、突起電極2の先端が接着剤層3から突出すると共に、当該突出した先端の最先端部を除いた周囲を、接着剤層3を構成する接着剤が覆う。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体チップと、当該半導体チップの電極パッド上に付設された突起電極と、前記半導体チップの前記電極パッドが形成された面を覆う接着剤層とを備え、 前記突起電極の先端が前記接着剤層から突出すると共に、当該突出した先端の最先端部を除いた周囲を、前記接着剤層を構成する接着剤が覆うことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (2件):
H01L21/60 311S ,  H01L21/60 311T
Fターム (3件):
5F044KK01 ,  5F044LL13 ,  5F044PP00
引用特許:
審査官引用 (5件)
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