特許

J-GLOBAL ID：200903026109980182

バリア膜の形成方法

発明者： 上野 和良
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209073
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 従来のプラズマCVDによるWNx膜より高温までアモルファス状態が安定なWSixNy,WCxNy膜をカバレージ良く維持でき、LSIの微細化に適した超薄バリア膜を形成する。【解決手段】 WF6ガスと、ジクロロシランあるいはメタンなどの炭化水素、それにアンモニアもしくは、窒素プラズマなどの窒素源を基板表面の反応律速の条件で反応させ、CVDによりWSixNy,WCxNy膜を基板3に堆積する。窒素プラズマは、気相中での反応を抑制するため、基板3から離れた場所で励起し、CVD室1とプラズマ吹き出し口22の間の圧力差で基板3に吹き付けて、基板表面で反応させる。

請求項（抜粋）：

Wを含む原料ガスをシラン,ジクロロシラン、もしくはメタン,エタン,プロパン等の炭化水素のいずれかのガスと、窒化プラズマ,NH3プラズマ,窒素ガス,NH3ガス,ヒドラジン,ジメチルヒドラジン等の窒素供給源の少なくとも一つとを反応させて、WSixNyあるいはWCxNyの薄膜を堆積することを特徴とするバリア膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062846   出願人：株式会社東芝
• 導電性拡散障壁層の付着法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-301177   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238972   出願人：株式会社東芝