検査方法、デバイス製造方法、検査装置、基板、マスク、リソグラフィ装置、及びリソグラフィセル

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-040760
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277754
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】使用する基板上エリア及びクロストークが最小限で済む別のターゲットを提供する。【解決手段】スキャトロメータを使用したオーバーレイ測定方法で用いられる各ターゲットは、第1部分及び第2部分を有する。第1部分は、第1方向においてのみ変化するフィーチャを有し、第2部分は、第2方向においてのみ変化するフィーチャを有する。第1方向及び第2方向は直交しているので、両方向間でのクロストークがなくなるとともに、オーバーレイエラーの算出精度が向上する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板内のオーバーレイエラーを特定するための検査方法であって、前記基板上のターゲットに放射のビームを投影すること、スキャトロメータを使用して、前記基板上の前記ターゲットから反射した前記放射を測定すること、及び前記反射した放射から前記オーバーレイエラーを特定すること、を含み、前記ターゲットは、第1及び第2のオーバーラップしたパターンを備え、各パターンは、第1方向においてのみ変化するフィーチャを有する第1サブパターン及び第2方向においてのみ変化するフィーチャを有する第2サブパターンを備え、前記ターゲットは、単一の測定において複数の方向でオーバーレイを特定するように構成される、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , H01L 21/66 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L21/30 522Z , H01L21/66 J , H01L21/30 502M , G03F9/00

Fターム (19件)：

2H097GB01 , 2H097GB02 , 2H097GB03 , 2H097KA03 , 2H097KA13 , 2H097KA20 , 2H097KA22 , 2H097KA29 , 2H097LA10 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA50 , 4M106DB05 , 4M106DJ20 , 5F046AA18 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046EA03 , 5F046EA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

マーク計測方法及び装置、露光方法及び装置、並びに露光システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-183146 出願人：株式会社ニコン
位置検出方法及び装置、並びに該装置を備えた露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-049099 出願人：株式会社ニコン
実質的に透過性のプロセス層に整列マークを備える基板、上記マークを露出するためのマスク、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-182181 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ

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