特許
J-GLOBAL ID：200903026217140530

トランジスタの製造方法

発明者：
グリューツェディエク、 ハルトムート

グリューツェディエク、 ハルトムート について

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シェーラー、 ヨアヒム

シェーラー、 ヨアヒム について


出願人/特許権者：
グリューツェディエク、 ウルスラ

グリューツェディエク、 ウルスラ について

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シェーラー、 ユッタ

シェーラー、 ユッタ について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-572912
公開番号（公開出願番号）：特表2002-526917
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：
【要約】本発明は、pをドープされている半導体基板を用いて、集積化可能な半導体部品、特にトランジスタまたは論理ゲート、を製造する方法に関する。最初に、周縁部により定められる窓を形成するために半導体基板にマスクが当てられる。その後で、pをドープされている内部領域が半導体基板の表面上に確実に残るようにするために十分なエネルギーを用いるイオン注入により半導体基板内にnをドープされている溝が形成される。nをドープされている溝の縁部領域が半導体基板の表面まで延長する。トランジスタまたは論理ゲートを構成するnをドープされている他の領域とpをドープされている他の領域との少なくとも一方が、半導体基板のpをドープされている内部領域内に挿入される。本発明の方法は、費用のかさむエピタキシ法と絶縁法をもはや含まないので有利である。nをドープされている半導体基板では、注入される全てのイオンが相補う種類により置換される、すなわち、pがnに換えられ、nがpに換えられる。
請求項（抜粋）：
pをドープされている、またはnをドープされている、半導体基板で始まって、集積化可能な半導体部品、特にトランジスタ、ダイオード、および論理ゲートを製造する方法であって、該方法は、 周縁部により限られている窓を限るために前記半導体基板の上にマスクを付着する工程と、 pをドープされている内部領域またはnをドープされている内部領域が前記半導体基板の表面上に確実に留まっているようにするエネルギーを用いて、前記マスクを通じてイオンを注入することにより、pをドープされている前記半導体基板中にnをドープされている溝を、またはnをドープされている前記半導体基板中にpをドープされている溝を、形成することによって、nをドープされている前記溝の縁部領域またはpをドープされている前記溝の縁部領域が、前記半導体基板の前記表面まで延長する工程と、 pをドープされている前記内部領域内またはnをドープされている前記内部領域内に、および前記半導体部品の構造を形成するnをドープされている前記溝の前記縁部内またはpをドープされている前記溝の前記縁部内に、nをドープされている追加の領域とpをドープされている追加の領域とのうちの少なくともいずれか一方を形成する工程と、を有する、前記集積化可能な半導体部品の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/331 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/8226 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/808 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
H01L 29/72 P ,  H01L 29/80 C ,  H01L 31/10 E ,  H01L 27/08 101 M
Fターム (43件)：
5F003BA03 ,  5F003BA27 ,  5F003BA93 ,  5F003BB01 ,  5F003BB02 ,  5F003BC08 ,  5F003BE01 ,  5F003BE02 ,  5F003BF03 ,  5F003BG03 ,  5F003BJ01 ,  5F003BJ03 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BN01 ,  5F003BN03 ,  5F003BP02 ,  5F003BP04 ,  5F003BP24 ,  5F003BZ03 ,  5F049MA11 ,  5F049NA08 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F082BA22 ,  5F082BA27 ,  5F082BA32 ,  5F082BA47 ,  5F082BC04 ,  5F082BC08 ,  5F082CA01 ,  5F082CA02 ,  5F082EA03 ,  5F082EA09 ,  5F082FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GL15 ,  5F102HC07
引用特許：
審査官引用 (19件)
  • 特開昭51-113469
  • 特開昭51-073887
  • 特開平2-007462
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