特許
J-GLOBAL ID:200903026233773110
研磨用パッド
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
山本 喜幾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-254971
公開番号(公開出願番号):特開2003-062748
出願日: 2001年08月24日
公開日(公表日): 2003年03月05日
要約:
【要約】【課題】 例えば半導体ウェハ等の化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing: CMP)に好適に使用され、研磨中の研磨条件変化に影響を受けず、優れた研磨レート、段差解消性および面内均一性を達成し得る高品質な研磨用パッドを提供する。【解決手段】 ポリウレタンまたはポリウレアの主原料と各種副原料とを混合し、これに不活性ガスを加圧下で溶解させてなるガス溶存原料を反応射出成形法により成形することで得られ、半導体材料等の研磨に適した微細かつ均一なセル20を有しているポリウレタン系発泡体12を使用する。
請求項(抜粋):
ポリウレタンまたはポリウレアの主原料と各種副原料とを混合し、これに不活性ガスを加圧下で溶解させてなるガス溶存原料を、反応射出成形法により反応射出成形型内(58)に射出することで得た所要形状のポリウレタン系発泡体(12)であって、前記ポリウレタン系発泡体(12)は、前記射出成形型(58)内で反応して半導体材料等の研磨に適した微細かつ均一なセル(20)を有していることを特徴とする研磨用パッド。
IPC (11件):
B24B 37/00
, B29C 45/00
, B29C 45/37
, C08G 18/00
, C08J 5/14 CFF
, H01L 21/304 622
, C08G101:00
, B29K 75:00
, B29K105:04
, B29L 31:00
, C08L 75:04
FI (11件):
B24B 37/00 C
, B29C 45/00
, B29C 45/37
, C08G 18/00 H
, C08J 5/14 CFF
, H01L 21/304 622 F
, C08G101:00
, B29K 75:00
, B29K105:04
, B29L 31:00
, C08L 75:04
Fターム (55件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 4F071AA53
, 4F071AE01
, 4F071DA20
, 4F202AA42
, 4F202AB02
, 4F202AB08
, 4F202AF16
, 4F202AG20
, 4F202AH81
, 4F202AR12
, 4F202AR15
, 4F202AR20
, 4F202CA13
, 4F202CB02
, 4F202CD23
, 4F202CK11
, 4F206AA42
, 4F206AB02
, 4F206AB08
, 4F206AF16
, 4F206AG20
, 4F206AH81
, 4F206AR12
, 4F206AR15
, 4F206AR20
, 4F206JA01
, 4F206JF01
, 4F206JF02
, 4F206JF04
, 4F206JM01
, 4F206JN16
, 4J034DA01
, 4J034DF01
, 4J034DF02
, 4J034DG01
, 4J034GA05
, 4J034GA33
, 4J034HA07
, 4J034HB06
, 4J034HC12
, 4J034HC34
, 4J034HC52
, 4J034HC64
, 4J034HC67
, 4J034HC71
, 4J034NA01
, 4J034QC01
, 4J034QD02
, 4J034RA11
引用特許:
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