特許
J-GLOBAL ID:200903026237633070

同期倍電流電源

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石島 茂男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-145858
公開番号(公開出願番号):特開平10-323034
出願日: 1997年05月20日
公開日(公表日): 1998年12月04日
要約:
【要約】【課題】高効率、大出力の電源を提供する。【解決手段】一次側にHブリッジ回路10を設け、二次側に、2個のインダクタンス素子L1、L2と2個のMOSFET31、32で構成した二次側整流回路30を設け、MOSFET31、32をHブリッジ回路10と同期させて第三象限動作をさせる。そのMOSFET31、32の整流作用と、インダクタンス素子L1、L2の定電流動作により、二次巻線22に誘起された交流電圧が整流される。簡単な回路構成で、リップルが少なく、高効率の電源回路1を得ることができる。一次巻線21に流れる電流を制御する場合、Hブリッジ回路10内のトランジスタQ1〜Q4の導通期間を一定時間にし、位相を制御して電流を変化させるとよい。
請求項(抜粋):
一次巻線と二次巻線とが設けられたトランスを有し、一次側には前記一次巻線に交流電圧を流す一次側電流制御手段が設けられ、二次側には整流素子とインダクタンス素子とが直列接続された回路が並列接続されて構成された二次側整流回路が設けられ、前記二次巻線の両端は、前記整流素子と前記インダクタンス素子との接続部分にそれぞれ接続され、前記二次側整流回路によって整流された電圧を平滑すると、直流電圧が得られるように構成された電源回路であって、前記整流素子はMOSFETで構成され、各MOSFETが前記一次側電流制御手段と同期制御され、前記一次側電流制御手段によって前記一次巻線に交流電流を流したときに前記二次巻線に誘起される誘導起電力と前記同期制御によって、前記MOSFETは第三象限動作をし、前記二次巻線に流れる誘導電流は、そのMOSFETと前記インダクタンス素子とを流れるように構成されたことを特徴とする同期倍電流電源回路。
IPC (3件):
H02M 3/28 ,  H02M 3/335 ,  H02M 7/21
FI (3件):
H02M 3/28 F ,  H02M 3/335 E ,  H02M 7/21 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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