特許
J-GLOBAL ID：200903026245464198

半導体レーザ

発明者：
佐々木 吾朗

佐々木 吾朗 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中野 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249719
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060309
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 低リーク電流でかつ横モード制御のための埋め込み構造を備え、高出力でかつ高信頼性の光ファイバ増幅器励起用半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型InP基板10上に、n型InPクラッド層20、光閉じ込め層22、MQW活性層24、光閉じ込め層26、及びp型InPクラッド層28とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。活性層導波路の両側には、FeドープInP層40が埋め込まれて形成されている。活性層導波路とFeドープInP層40との上には、p型InGaAsコンタクト層30が積層される。このような構造においては、活性層への電流狭窄とFeドープInP埋め込み層40中でのフリーキャリア吸収による光損失が格段に低減でき、大きな発光効率および発光出力を有し、かつSMFにも良好に光結合することができる。
請求項（抜粋）：
ファイバ増幅器の励起に用いられる半導体レーザであって、半導体基板上に形成された第1の導電型の第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成された半導体活性層と、前記半導体活性層上に形成された第2の導電型の第2クラッド層と、より構成される光導波路層と、ストライプ状のメサ構造とされた前記光導波路層の両側面に接して設けられた電流狭窄のための埋め込み層を備え、前記埋め込み層の少なくとも一部若しくは全体が高抵抗半導体層であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343
Fターム (12件)：
5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073CB11 ,  5F073CB19 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM