特許
J-GLOBAL ID：200903003596617845
半導体装置の製造方法,及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018079
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト層に対して良好なオーミック接触をなす表面電極の形成を可能とする、リッジ部の両脇にMOCVD法により成長させたInAlAs高抵抗層を備えた半導体装置の製造方法,及びその半導体装置を提供する。【構成】 SiN膜7をマスクとして、半導体層に対する異方性エッチングを行って、リッジ部30を形成し、さらにこのリッジ部30の両脇にInAlAs高抵抗層4をMOCVD法を用いて選択成長させた後、この高抵抗層4上にはSiO2 膜9を形成し、リッジ部最上層のp型InGaAsコンタクト層8上にはこの層と接触するように表面電極5を形成する。【効果】 コンタクト層8は、SiN膜7の除去後、その表面が酸化されることはなく、この層と表面電極5との間の接触を良好なオーミック接触とすることができ、この半導体レーザ装置の電気特性を良好なものとすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体層上にストライプ形状の第1の絶縁膜を形成する工程と、該第1の絶縁膜をマスクとして上記半導体層を所要の深さまでエッチングして、上記第1の絶縁膜下に残された上記半導体層からなるリッジ部を形成する工程と、該リッジ部の両脇の上記半導体層がエッチングされた部分に、上記第1の絶縁膜をマスクとして、InAlAsまたはInAlGaAsからなり、それが含む浅いドナーの濃度N<SB>SD</SB>,浅いアクセプタの濃度N<SB>SA</SB>,及び深いドナーの濃度N<SB>DD</SB>が N<SB>SA</SB>>N<SB>SD</SB> かつ N<SB>SA</SB>-N<SB>SD</SB><N<SB>DD</SB> となる高抵抗層を有機金属気相成長法により選択成長させる工程と、上記第1の絶縁膜を除去した後、上記高抵抗層上にその露出した表面の全面を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程と、上記半導体層の上記リッジ部の表面に表面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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