特許
J-GLOBAL ID：200903026261819753

半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置

発明者：
早水 勲

早水 勲 について

, 
立柳 昌哉

立柳 昌哉 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-328091
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152330
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】半導体レーザの特性を維持しながら、半導体レーザ装置である半導体装置を薄型化し、さらに、その半導体装置を用いた光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置を薄型化することを目的とする。【解決手段】レーザ照射方向以外の3方向に枠体30側面を形成したパッケージ24に、レーザ照射方向およびパッケージ24上面を覆いレーザ照射位置にガラス26を形成したキャップ25装着する構成とすることで、半導体素子22とガラス26との距離を短くし、ガラスの径32を小さくすることにより半導体レーザの特性を維持しながら、半導体装置の薄型を実現することができる。また、この半導体装置を搭載することにより光ピックアップ装置も薄型化することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子を搭載してなる半導体装置であって、 前記半導体レーザ素子の搭載面を備えるパッケージと、 前記パッケージが前記搭載面に接する周囲4面の内の1面および前記搭載面に対向する上面を開口するように形成される前記パッケージの枠体と、 前記枠体に固定される複数のリード端子と、 前記搭載面に設置されて前記半導体レーザ素子の搭載台となるサブマウントと、 前記半導体レーザ素子と前記リード端子を電気的に接続するワイヤと、 前記搭載面に対向する上面および前記搭載面に接する周囲4面の内の1面に形成される開口部分に接続されて前記半導体レーザ素子を前記パッケージ内に封止するキャップと、 前記キャップの前記レーザ光出射方向の面に貫通孔を設けて設置されて前記レーザ光が出射できる径のガラスと を有し、前記半導体レーザ素子のレーザ光出射位置が前記ガラスの直近なるように前記半導体レーザ素子を搭載することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/022 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S5/022 ,  G11B7/125 A
Fターム (17件)：
5D789AA02 ,  5D789AA38 ,  5D789AA43 ,  5D789FA05 ,  5D789FA28 ,  5D789FA30 ,  5D789FA32 ,  5D789FA35 ,  5D789JA02 ,  5D789NA04 ,  5F173MA05 ,  5F173MB03 ,  5F173MC01 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173MF03 ,  5F173MF39
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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