特許
J-GLOBAL ID：200903026267124200

半導体デバイスの製造方法

発明者：
荒川 智志

荒川 智志 について

, 
井藤 光正

井藤 光正 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257882
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068715
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 異なる種類のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体の2元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板11上にIII -V族化合物半導体層であるABX層12を結晶成長した後、MOCVD装置のリアクタ内にセットして、エッチング処理プロセスを行う。その際、エッチングガスの導入と同時に、このエッチングガスに対して相対的にエッチングされ易い方の2元化合物である例えばBXを構成するBを含有するIII族原料ガスを導入する。こうして、AXとBXのエッチングレートを実効的に等しくして、両者のエッチングレートの差に起因するエッチング表面の荒れや格子不整合を抑制し、良好なモフォロジーをもつABX層12表面を得る。
請求項（抜粋）：
異なる種類のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体の2元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、使用するエッチャントに対してエッチングレートが相対的に高い方の2元化合物を構成するIII族元素の原料ガスを、前記エッチャントと一緒に供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 F
Fターム (24件)：
5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA34 ,  5F041CA05 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC02 ,  5F045AD10 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045BB02 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073CA04 ,  5F073CA12 ,  5F073DA24
引用特許：
審査官引用 (4件)
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