特許
J-GLOBAL ID:200903026278040695
有機半導体素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-261503
公開番号(公開出願番号):特開2004-103719
出願日: 2002年09月06日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】有機半導体膜の電位の変動を防ぐ。【解決手段】ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極とは別の、外部から有機半導体膜の電位を与える電極を有する有機半導体素子を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体膜とを基板上に有する有機半導体素子において、前記有機半導体膜の電位を外部からあたえる電極を更に有することを特徴とする有機半導体素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 626Z
, H01L29/28
Fターム (16件):
5F110AA04
, 5F110AA08
, 5F110AA15
, 5F110BB03
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110EE02
, 5F110FF01
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110HM17
, 5F110NN27
引用特許: