高K誘電体膜及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-574128
公開番号（公開出願番号）：特表2004-533108
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

誘電体層はランタン、アルミニウム及び酸素を含み、2つの導電体の間または導電体と基板との間に形成される。一の実施形態においては、誘電体層はランタンまたはアルミニウムに関して傾斜している。別の実施形態においては、絶縁層は導電体または基板と誘電体層との間に形成される。誘電体層は原子層化学気相成長法、物理気相成長法、有機金属化学気相成長法、またはパルスレーザ成膜法により形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板を覆って設けられ、ランタン、アルミニウム、及び酸素からなる誘電体層と、前記誘電体層を覆う電極層とからなる半導体構造体。

IPC (10件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (9件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 X , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L27/10 434 , H01L27/10 621Z , H01L29/78 371 , H01L27/10 651

Fターム (61件)：

5F058BB01 , 5F058BB02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD13 , 5F058BF06 , 5F058BJ04 , 5F083AD21 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083PR21 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BD30 , 5F101BD40 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F110AA06 , 5F110BB05 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HJ23 , 5F140AA24 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BK21

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-156625 出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122174 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (1件)

微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜

前のページに戻る