特許
J-GLOBAL ID：200903026285267387
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060682
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 良好なショットキー特性を有して優れた特性を得る。【解決手段】 半導体(コレクタ層13)/金属(ベース層14)/半導体(エミッタ層15)から成る3層構造の各層は、窒化物で構成されている。こうして、両半導体層と金属層との一つの構成元素(N)を同じにする。さらに、NbNベース層14におけるNbはNと1:1の化学量論比で窒化物を形成するために、形成され金属窒化物と窒化物半導体とは同一の化学量論比を呈する。したがって、ベース層14とエミッタ層15とを空間的に連続して形成(1:1の界面結合)することが可能となり、良好なショットキー接合が得られる。その結果、電気的特性に優れたMBTが得られる。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体,金属窒化物および窒化物系化合物半導体から成る3層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F003AZ01
, 5F003AZ03
, 5F003BA92
, 5F003BB03
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP32
