特許
J-GLOBAL ID：200903026296561589
電界放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000314
公開番号（公開出願番号）：特開2001-216886
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 電界放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ナノスケールの微細構造の表面粗度を有するマイクロチップを備える。ナノチップの集成体、即ちナノスケールの微細構造の表面粗度を有するマイクロチップは、低ゲート電圧下においても、放出電流が高いので、消費電力を減らすことができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板に形成されるカソード電極と、前記カソード電極上に形成され、ナノスケールの微細構造の表面粗度を有するマイクロチップと、前記マイクロチップが位置する空間を提供するウェルを備えて前記カソード電極上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されて前記マイクロチップに対応するゲートを有するゲート電極とを備えることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
審査官引用 (5件)
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電界放射型電子源の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-078538
出願人：松下電器産業株式会社
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電子放出装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-337631
出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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特開昭51-052274
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