特許
J-GLOBAL ID：200903064261216063
電界放射型電子源の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270228
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 大電流密度の可能な電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 基板1の表面に形成された電極2の表面に導電性の凸状微小構造3が形成され、その周辺部にゲートとなる電極層6が絶縁層5を介して形成されている。また凸状の微構造の表面には冷陰極となる複数の突出部4が形成されている。陰極に対してとゲート電極に正の電圧を印加することにより、複数の突出部の先端から電界効果により多量の電子が放出される。
請求項（抜粋）：
表面に急峻な先端を有する複数の突出部が形成された凸状の導電性微小構造と、前記凸状の微小構造を囲み電気的に絶縁されてた電極が基板上に形成され、微小構造と電極の間に電圧を印加することにより、前記複数の突出部の先端部から電子が放出されることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
