特許
J-GLOBAL ID：200903026342009381

太陽電池素子の製造方法

発明者：
藤川 正洋

藤川 正洋 について

, 
松野 繁

松野 繁 について

, 
新延 大介

新延 大介 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (6件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-124433
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282912
出願日： 2007年05月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】製造時間を短くすることができ、製造を容易にすることができる太陽電池素子の製造方法を得る。【解決手段】まず、シリコンウェハ1の表面に微小凹凸2を形成する。この後、シリコンウェハ1の微小凹凸2が形成された部分に不純物を拡散し、シリコンウェハ1に拡散層8を形成する。この後、拡散層8上の一部に拡散層用マスク9を設ける。この後、拡散層用マスク9が重ねられた部分を残して拡散層8の厚さをエッチングで薄くする。これにより、拡散層用マスク9によって残された拡散層8の部分が第1の拡散領域4となり、拡散層8の厚さが薄くされた部分が第2の拡散領域5となる。この後、拡散層用マスク9を除去する。この後、拡散層用マスク9を除去した部分に電極3を形成する。このようにして、太陽電池素子を製造する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の表面に微小凹凸を形成する凹凸形成工程、 上記基板の上記微小凹凸が形成された部分に不純物を拡散することにより、上記基板に拡散層を形成する拡散工程、 上記拡散層上の一部に拡散層用マスクを設ける拡散層マスク工程、 上記拡散層用マスクが重ねられた部分を残して上記拡散層の厚さをエッチングで薄くすることにより、上記拡散層用マスクによって残された上記拡散層の部分を第1の拡散領域とし、上記拡散層の厚さが薄くされた部分を第2の拡散領域とする拡散領域形成工程、 上記拡散層用マスクを除去する拡散層マスク除去工程、及び 上記拡散層用マスクを除去した部分に電極を形成する電極形成工程 を備えていることを特徴とする太陽電池素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (11件)：
5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051KA09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
  • 太陽電池素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-037067   出願人：京セラ株式会社
  • 特開昭61-256731
  • 特開平2-143254
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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