特許

J-GLOBAL ID：200903023171747193

シリコン基板の粗面化方法および光起電力装置の製造方法

発明者： 松野 繁 ,  佐藤 剛彦 ,  松本 紀久 ,  前川 武之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-022706
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124413
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】従来の方法では困難だった15cm角程度あるいはそれ以上の大面積基板を対象にしても、シリコン基板に均一な凹凸を再現性良く、低コストで形成すること。【解決手段】有機金属溶液あるいは有機金属の分散液を基板にインクジェット法でドット状に塗布する工程と、上記基板を乾燥する工程と、上記基板の表面にプラズマを照射する工程と、上記基板をエッチング処理する工程とを備えたシリコン基板の粗面化方法である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

有機金属溶液あるいは有機金属の分散液をシリコン基板に塗布する工程と、 上記シリコン基板を乾燥する工程と、 上記シリコン基板の表面にプラズマを照射して金属粒子を形成する工程と、 上記シリコン基板をエッチング処理する工程と を備えたことを特徴とする、シリコン基板の粗面化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  H01L31/04 H ,  H01L21/306 S

Fターム (38件)：

5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA10 ,  5F004EA26 ,  5F004EB08 ,  5F004FA01 ,  5F043AA02 ,  5F043AA10 ,  5F043AA26 ,  5F043BB03 ,  5F043BB18 ,  5F043DD13 ,  5F043DD15 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F051AA03 ,  5F051CB20 ,  5F051CB22 ,  5F051CB30 ,  5F051FA10 ,  5F051GA04 ,  5F051GA16 ,  5F051GA20 ,  5F051HA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコン基板の粗面化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263023   出願人：京セラ株式会社
• シリコン太陽電池を粗面状化するための金属触媒技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-518537   出願人：サンディアコーポレーション
• 太陽電池用基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-091757   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-093576   出願人：株式会社東芝