特許
J-GLOBAL ID：200903026346601684
アミン残基含有ポリシラザン及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060736
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 低級アルコールを反応溶媒として用いることなしに、ポリシラザンをアミン残基含有ヒドロキシル化合物で変性する方法及びそれにより得られるアミン残基含有ポリシラザンを提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされるシラザン構造を分子鎖中に含有する数平均分子量が100〜100,000のアミン残基含有ポリシラザン。一般式(1):【化1】(式中、R1及びR2は水素、炭化水素基又は炭化水素基含有シリル基を示し、Aは2価炭化水素基を示し、BはN-炭化水素基置換アミン残基又は環状アミン残基を示し、pは1又は0を示し、BがN-炭化水素基置換アミン残基を示す場合にはpは1を示し、Bが環状アミン残基を示す場合にはpは1又は0を示す)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)及び/又は(2)で表わされるシラザン構造を分子鎖中に含有する数平均分子量が100〜100,000のアミン残基含有ポリシラザン。一般式(1):【化1】(式中、R1及びR2は水素、炭化水素基又は炭化水素基含有シリル基を示し、Aは2価炭化水素基を示し、BはN-炭化水素基置換アミン残基又は環状アミン残基を示し、pは1又は0を示し、BがN-炭化水素基置換アミン残基を示す場合にはpは1を示し、Bが環状アミン残基を示す場合にはpは1又は0を示す)一般式(2):【化2】(式中、R1及びR2は水素、炭化水素基又は炭化水素基含有シリル基を示し、A及びA2は2価炭化水素基を示し、B2は2価鎖状アミン残基又は2価環状アミン残基を示し、p及びqは1又は0を示し、B2が2価鎖状アミン残基を示す場合にはp及びqは1を示し、B2が2価環状アミン残基を示す場合にはp及びqは1又は0を示す)
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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