特許

J-GLOBAL ID：200903026369150400

積層セラミックコンデンサおよびその製法

発明者： 杉本 幸史郎 ,  大鈴 英之 ,  西垣 政浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-372410
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173714
出願日： 2005年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】誘電体層を薄層化しても、高温負荷寿命に優れた積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。【解決手段】チタン酸バリウム系結晶粒子によって構成された複数の誘電体層5と、該誘電体層5間に形成された複数のニッケルを主成分とする内部電極層7と、該内部電極層7に電気的に接続された外部電極3とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層5と前記内部電極層7との界面6の中心平均線粗さRacが20nm以上100nm以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

チタン酸バリウム系結晶粒子によって構成された複数の誘電体層と、該誘電体層間に形成されたニッケルを主成分とする複数の内部電極層と、該内部電極層に電気的に接続された外部電極とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層と前記内部電極層との界面の中心平均線粗さRacが20nm以上100nm以下であることを特徴する積層セラミックコンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30 ,  C04B 35/46

FI (7件)：

H01G4/12 349 ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311D ,  C04B35/46 D

Fターム (34件)：

4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA23 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA03 ,  4G031GA04 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB07 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082MM23 ,  5E082MM24

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層部品の導体膜パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354347   出願人：富士電気化学株式会社
• 積層型電子部品の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-092774   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (4件)

• 積層セラミック電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-363884   出願人：株式会社村田製作所
• 誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-048276   出願人：株式会社東芝, 日本ケミコン株式会社
• 積層セラミック電子部品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344050   出願人：ティーディーケイ株式会社
• カルシウムドープチタン酸バリウムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-099828   出願人：東邦チタニウム株式会社