特許
J-GLOBAL ID:200903026384849797
データ記憶装置とその駆動方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-268696
公開番号(公開出願番号):特開平9-180458
出願日: 1996年10月09日
公開日(公表日): 1997年07月11日
要約:
【要約】【課題】 データ保持手段であるメモリセルの占有面積を増やすことなくリーク電流を抑制して消費電力を低減することを目的とする。【解決手段】 メモリセル1は、ハイデータ保持手段である負荷トランジスタ対P1,P2と、ロウデータ保持手段であるドライブトランジスタ対N1,N2と、ハイデータ保持手段又はロウデータ保持手段をアクセスするためのアクセストランジスタ対N3,N4とから構成されている。負荷トランジスタ対P1,P2のソース電位であるハイデータ保持電位VHは電源電位Vccよりも大きな値に設定されていると共に、ドライブトランジスタ対N1,N2のソース電位であるロウデータ保持電位VLは接地電位Vssよりも大きな値に設定されている。読み出し動作時には、選択されたメモリセル1のソース電位制御線VSL1はソース線スイッチSW1を介して接地線2に接続される。
請求項(抜粋):
複数のデータ保持手段を備えたデータ記憶装置において、前記複数のデータ保持手段のうち、電源電位よりも大きな電位でハイデータを保持するハイデータ保持手段と、接地電位よりも大きな電位でロウデータを保持するロウデータ保持手段とを備えていることを特徴とするデータ記憶装置。
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭58-211391
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特開平4-205889
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スタティックRAM
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-289209
出願人:富士通株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-071806
出願人:三菱電機株式会社
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スタティックRAM
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-006025
出願人:富士通株式会社
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特開昭53-135528
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特開昭61-115295
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