特許
J-GLOBAL ID：200903026401004526

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
脇 英司

脇 英司 について

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中川 敦

中川 敦 について

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出口 忠義

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出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-355367
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128586
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 リーク電流を低減した窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層したアルミニウムを含まない前記III-V族窒化物半導体層からなり、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つをドーピングした第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備える。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、 基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、 該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つを含む第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層に、あるいは前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層に、ショットキ接触する制御電極とを備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/48 D
Fターム (23件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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