特許
J-GLOBAL ID：200903026421848593
ITOスパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087009
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283934
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：
【要約】【目的】 特殊カプセル使用HIP 法(特開平5-155651号公報)での如き複雑な処理を要さずに比較的簡単に製造し得、低級酸化物である黒色のIn2Oを含まず、且つ相対密度が特殊カプセル使用HIP 法の場合(88、93、96%)と同等もしくはそれ以上であるITOスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【構成】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末を予備焼結(例えば大気又は酸化雰囲気下で1400〜1600°Cで焼結)した後、分圧20%以下の酸素を含む雰囲気下、1200°Cを超える温度で熱間等方圧処理をし、ITOスパッタリングターゲットを製造する方法、及び、酸化錫を3〜15wt%含む酸化インジウム基混合粉末を焼結してなるITOスパッタリングターゲットであって、相対密度が99%以上であることを特徴とするもの。
請求項（抜粋）：
酸化錫を3〜15wt%含む酸化インジウム基混合粉末を焼結してなるITO焼結体よりなるITOスパッタリングターゲットであって、前記ITO焼結体の相対密度が99%以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C04B 35/495
, C04B 35/457
, H01L 21/31
, H01B 13/00 503
C23C 14/34 A
, H01L 21/31 D
, H01B 13/00 503 B
, C04B 35/00 J
, C04B 35/00 R
