特許
J-GLOBAL ID：200903026441370410

基板から酸化物を除去する方法及びシステム

発明者：
ディップ,アンソニー

ディップ,アンソニー について

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リース,アレン,ジョン

リース,アレン,ジョン について

, 
オー,ソンホ

オー,ソンホ について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-504164
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538161
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約900°Cよりも低い第1基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第1基板温度とは異なる第2基板温度に維持され、第2基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
請求項（抜粋）：
基板の処理方法であって: 上に酸化膜が形成されている前記基板を処理チャンバ内に供する工程; 前記処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程; 約900°Cよりも低温である第1基板温度の前記基板を前記の励起した水素含有ガス流に曝露することで前記基板から前記酸化膜を除去する工程; 前記基板を前記第1基板温度とは異なる第2基板温度に維持する工程;及び 前記第2基板温度の前記基板上にシリコン含有膜を成膜する工程; を有する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 648G
Fターム (46件)：
5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA24 ,  5F004DB03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB39 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AF03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB13 ,  5F045HA03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BE04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BJ01 ,  5F157AA77 ,  5F157AB03 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG14 ,  5F157BG15 ,  5F157BG35 ,  5F157BH18 ,  5F157CE59 ,  5F157CF02 ,  5F157CF04 ,  5F157CF20 ,  5F157CF34 ,  5F157CF38 ,  5F157CF42 ,  5F157CF44 ,  5F157CF90 ,  5F157DA21
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許出願第10/673375号明細書
  • 成膜装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-129556   出願人：株式会社日立国際電気
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-336426
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054629   出願人：株式会社東芝
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-027784   出願人：株式会社日立国際電気

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