特許
J-GLOBAL ID：200903098194614050
成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129556
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324760
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】前処理と成膜の温度差を小さくして、昇降温時間を短縮して処理スピード(スループット)を向上させる。【解決手段】反応管1内部を500°Cに加熱する。水素ガスを放電管7に導入する。発振器12の出力する高周波電力を整合器13を介して電極端部4に供給する。これにより放電管7内部にプラズマ15が発生し導入した水素が活性化され、放電管7に多数設けた小穴14から回転している被処理基板2に供給される。被処理基板2表面の自然酸化膜などの不純物は主に活性化された水素によって除去される。自然酸化膜などの不純物の除去が完了したら、ガス導入管17からモノゲルマン(GeH4)とモノシラン(SiH4)を導入し圧力を調節しながらシリコンゲルマニウム(SiGe)を500°Cで成膜する。
請求項（抜粋）：
減圧状態の反応室においてリモートプラズマで生成した水素の活性種を利用して被処理基板表面を前処理し、その後、前記反応室内で前記前処理温度の場合と同じ温度で前記被処理基板表面に半導体を単結晶成長させるようにしたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
4K030AA05
, 4K030AA06
, 4K030BA09
, 4K030BA48
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030FA03
, 4K030JA10
, 5F045AA06
, 5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AD09
, 5F045AF03
, 5F045BB09
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EB13
, 5F045EE13
, 5F045EF03
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH18
, 5F045EK06
, 5F045HA01
