特許

J-GLOBAL ID：200903026469380640

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 近藤 勝則 ,  高橋 理 ,  山林 智明 ,  石垣 忠 ,  菊地 洋明 ,  アグス スバギョ ,  中村 基訓
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-095272
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252798
出願日： 2008年04月01日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。【解決手段】まず、基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。次いで、ソース電極またはドレイン電極とカーボンナノチューブとを電気的に接続させるための接続孔を保護膜に形成して、カーボンナノチューブの一部を露出させる。最後に、接続孔の上にソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜を有する半導体基板と、 前記絶縁膜の上に配置されたカーボンナノチューブと、 前記カーボンナノチューブを被覆する保護膜と、 前記保護膜の上にそれぞれ配置され、かつ前記保護膜に形成された接続孔を介して前記カーボンナノチューブにそれぞれ電気的に接続されているソース電極およびドレイン電極と、 を有する、カーボンナノチューブをチャネルとする電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A

Fターム (35件)：

5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG47 ,  5F110GG57 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35

引用特許：

出願人引用 (1件)

• n型トランジスタ、n型トランジスタセンサ及びn型トランジスタ用チャネルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-034476   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 三菱化学株式会社

審査官引用 (1件)

• 相補型カーボン・ナノチューブ・トリプル・ゲート技術
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-304611   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (2件)

• “Air-stable n-type carbon nanotube field-effect transistors with Si3N4 passivation films fabricated
• “Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Integrated Ohmic Contacts and High-κ Gate Dielectri