特許

J-GLOBAL ID：200903026484854330

半導体装置

発明者： 岩切 昌久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 山川 雅男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080903
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258448
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】ヒートスプレッダのはんだ付け作業時における不良発生を防止した半導体装置を提供する。【解決手段】実装面においてパッケージ基板1に実装され、反対面にはんだ接合面2を備える半導体チップ3と、パッケージ基板1に対向して半導体チップ3の収容空間4の内壁面を構成する基板対向面5から半導体チップ3のはんだ接合面2に向けて突出する接合突部6を備えたヒートスプレッダ7とを有し、ヒートスプレッダ7と半導体チップ3とは、接合突部6と半導体チップ3との突き当て部を越えて、前記接合突部6をほぼ等幅で包囲する基板対向面5上の領域まで広がったはんだ層8を介して接合される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

実装面においてパッケージ基板に実装され、反対面にはんだ接合面を備える半導体チップと、 パッケージ基板に対向して半導体チップの収容空間の内壁面を構成する基板対向面から半導体チップのはんだ接合面に向けて突出する接合突部を備えたヒートスプレッダとを有し、 前記ヒートスプレッダと半導体チップとは、接合突部と半導体チップとの突き当て部を越えて、前記接合突部をほぼ等幅で包囲する基板対向面上の領域まで広がったはんだ層を介して接合される半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/40

FI (1件)：

H01L23/40 F

Fターム (6件)：

5F136BB18 ,  5F136BC02 ,  5F136BC03 ,  5F136BC06 ,  5F136DA11 ,  5F136EA13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000755   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000755   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-016040   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-368347   出願人：株式会社デンソー
• 特開平4-263457