特許
J-GLOBAL ID:200903026487712420
光電変換素子及びそれへの電圧印加方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-050945
公開番号(公開出願番号):特開2006-237352
出願日: 2005年02月25日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】光電流と暗電流の比率(S/N比)や外部量子効率を高め、残像を抑制した光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも2層の異なる波長領域の光を吸収し、光電変換する光電変換層を含み、かつ、該層ごとに異なる光電変換材料を含む光電変換素子において、異なる光電変換材料層ごとに実質的に異なるバイアス電圧を印加する光電変換素子。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも2層の異なる波長領域の光を吸収し、光電変換する光電変換層を含み、かつ、該層ごとに異なる光電変換材料を含む光電変換素子において、異なる光電変換材料層ごとに実質的に異なるバイアス電圧を印加することを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/10 D
, H01L31/10 A
Fターム (10件):
5F049MA02
, 5F049MA20
, 5F049MB03
, 5F049MB08
, 5F049NA03
, 5F049NA04
, 5F049NB05
, 5F049QA07
, 5F049RA02
, 5F049RA06
引用特許:
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