半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127014
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016015
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】レーザビームの照射が複数回行なわれる領域の結晶性を向上するための方法を提供する。【解決手段】波長が370〜650nmの範囲のレーザビームを用いて、非晶質半導体膜の一部にレーザアニールを行ない、第1の結晶質領域が形成する。レーザアニールを行う際、光学系を用いて、レーザビームを照射面またはその近傍における形状が線状である線状ビームに加工して照射するのが望ましい。前記第1の結晶質領域の一部を含む領域にレーザアニールを行ない、第2の結晶質領域を形成する。以上のようにして形成された第1の結晶質領域の結晶性と、第2の結晶質領域の結晶性と、第1の結晶質領域と第2の結晶質領域の重なっている領域の結晶性は同じであり、結晶性の良い結晶質半導体膜を得ることが出来る。前記結晶質半導体膜をTFTの活性層とし、前記TFTの電気的特性を測定すると、ばらつきの少ない良好な特性となる。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜に対して、レーザビームを相対的に移動しながら照射することによって第1の結晶質領域が形成される段階と、前記第1の結晶質領域が形成された前記非晶質半導体膜に対して、前記第1の結晶質領域の一部を含む領域に、前記レーザビームを相対的に移動しながら照射することによって第2の結晶質領域が形成される段階と、を有し、前記レーザビームの波長は370〜650nmの範囲であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/268 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/268 J , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 627 G

Fターム (135件)：

2H092JA25 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA15 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5C094AA07 , 5C094AA13 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094FA01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA11 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BG07 , 5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB07 , 5F052JA01 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF40 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭59-202622
特開昭63-092012
特開昭63-054715

全件表示

審査官引用 (10件)

特開昭59-202622
特開昭59-202622
特開昭63-092012

全件表示

前のページに戻る