特許
J-GLOBAL ID：200903026538354958

CVD装置のクリーニング方法

発明者：
野上 裕

野上 裕 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012600
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212732
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【課題】 大面積基板にプラズマCVDによりシラン等の材料ガスを用いてシリコン酸化膜等を成膜できる装置、例えば、複数の貫通孔あるいは拡散孔が形成された導電性隔壁板を設けることによって真空容器内部がプラズマ生成空間と成膜処理空間とに隔離され、プラズマ生成空間で生成された活性種が前記隔壁板の貫通孔を通して成膜処理空間に導入されるCVD装置に対して最適なクリーニング方法を提供する。【解決手段】 導電性隔壁板を接地電位としつつ、あるいは導電性隔壁板を接地電位としつつ加熱し、プラズマ生成空間にクリーニングガスを導入し、その内部に配置されている高周波電極に高周波電力を与えて活性種を生成させてプラズマ生成空間内をクリーニングすると共に、前記生成された活性種を導電性隔壁板の複数の貫通孔を通して成膜処理空間に導き、この成膜処理空間に導入された活性種によって成膜処理空間をもクリーニングすることによって課題を解決した。
請求項（抜粋）：
真空容器内でプラズマを生成して活性種を発生させ、この活性種と材料ガスとで真空容器内に収容されている基板に成膜を行うCVD装置のクリーニング方法において、前記CVD装置は、その真空容器内に導電性隔壁板を備えていて、当該導電性隔壁板によって当該真空容器内部が二室に隔離され、当該二室に隔離された真空容器内部の一方の室はその内部に高周波電極を配置したプラズマ生成空間を形成し、他方の室はその内部に前記基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜処理空間を形成するように構成されており、当該導電性隔壁板には、前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間を通じさせる複数の貫通孔であって、当該貫通孔内でのガス流速をu、実質的な貫通孔の長さをL、相互ガス拡散係数をDとする時、uL/D>1の条件を満たすように形成されている複数の貫通孔が穿孔されていると共に、前記プラズマ生成空間から隔離され、かつ前記成膜処理空間と複数の拡散孔を介して通じている内部空間が形成され、前記材料ガスは外部から前記導電性隔壁板の内部空間に供給され、前記複数の拡散孔を通して前記成膜処理空間に導入されるように構成され、前記高周波電極に高周波電力を与えて前記プラズマ生成空間でプラズマ放電を発生させることにより前記プラズマ生成空間で生成された前記活性種を、前記隔壁板に形成された複数の貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入させるCVD装置であって、当該CVD装置のクリーニングは、前記導電性隔壁板を接地電位としつつ、前記プラズマ生成空間にクリーニングガスを導入し、その内部に配置されている高周波電極に高周波電力を与えて活性種を生成させ、当該生成された活性種を前記導電性隔壁板の複数の貫通孔を通して前記成膜処理空間に導き、この成膜処理空間に導入された前記活性種によって前記成膜処理空間をクリーニングすることを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
C23C 16/44 ,  B01J 19/12 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C23C 16/44 J ,  B01J 19/12 A ,  H01L 21/205
Fターム (32件)：
4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075AA57 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BB02 ,  4G075BC02 ,  4G075BD14 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045BB14 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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