特許
J-GLOBAL ID：200903026606541540

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法

発明者：
相原 聡

相原 聡 について

, 
大竹 浩

大竹 浩 について

, 
谷岡 健吉

谷岡 健吉 について


出願人/特許権者：
日本放送協会

日本放送協会 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-282810
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051115
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 多層型光機能素子を提供する。【解決手段】 有機材料を含む受光層、または有機材料を含む発光層に薄膜トランジスタが接続されてなる光機能素子であって、前記薄膜トランジスタは、基板上に形成された、透明なゲート電極と、前記ゲート電極に接する透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と対向する透明な半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された透明なソース電極と、前記半導体層に電気的に接続された透明なドレイン電極とを有し、前記基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極、ドレイン電極のうち、少なくとも一つが有機材料により形成されていることを特徴とする光機能素子を用いた。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
透明な基板上に形成された、ゲート電極と、 前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と対向する半導体層と、 前記半導体層に電気的に接続されたソース電極と、 前記半導体層に電気的に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、 前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が、透明な有機材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08 ,  H01L51/10 ,  H05B33/14
FI (8件)：
H01L29/78 617M ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L27/14 C ,  H01L31/08 T
Fターム (54件)：
3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA03 ,  3K007GA00 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CA40 ,  4M118CB05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB24 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA13 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088CA05 ,  5F088EA04 ,  5F088EA06 ,  5F088FA04 ,  5F088GA02 ,  5F088KA10 ,  5F088LA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
  • 表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285906   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 有機半導体製画像センサ
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-529741   出願人：ユニアックスコーポレイション
  • 半導体装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-508258   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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