特許
J-GLOBAL ID：200903026657113616
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-100413
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311576
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】半導体チップのクラックやチッピング等の不良を低減して高品質の半導体装置を製造できると共に製造歩留まりの低下も抑制できる粘着性テープの剥離方法を用いたスタックMCPに適した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子の形成された半導体ウエーハ1′に、最終仕上げ厚以上の切断溝を入れた後に、半導体ウエーハ表面に粘着性テープ(表面保護テープ)を貼り付けてから、裏面研削を行って半導体チップ1の薄厚加工と半導体チップの分離を同時に行い、その後、半導体チップの裏面に接着剤層2を形成し、その後、保持テーブル3上の少なくとも2つの吸着エリアに分離された多孔質材で半導体ウェーハ側を吸着固定する吸着ステージで粘着性テープ24を剥離する。薄厚チップのピックアップでのチップクラックが低減しスタックMPC製品対応の薄厚チップの作成ができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体ウエーハの素子形成面に最終仕上げ厚以上の切断溝を入れる工程と、
前記切断溝を入れる工程終了後、前記ウェーハの前記素子形成面に粘着性テープを貼り付ける工程と、
前記粘着性テープを貼り付ける工程終了後、前記半導体ウェーハの裏面研削を行い前記半導体ウェーハを半導体素子が形成された複数の半導体チップに分離切断して、前記半導体チップの薄厚加工と前記半導体チップの分離とを同時に行う工程と、
前記半導体ウェーハの裏面研削を行う工程終了後に前記半導体ウェーハの裏面全面に接着剤層を貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハの裏面全面に貼り付けられた前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分離切断する工程と、
前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分離切断する工程終了後に少なくとも2つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着ステージ上で粘着性テープを剥離する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 P
, H01L21/78 A
