揮発性原料を用いたMIS型トランジスタ素子およびそれを備えた半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275532
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111832
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】固定電荷フリーで、かつ、リーク電流を抑え微細化されたゲートトランジスタの容量を確保するため、ゲート絶縁膜に安定供給可能で、かつ、形成した膜中の不純物を抑制できるMIS型半導体素子用の揮発性原料の提供。【解決手段】シリコン単結晶基板を母材としたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型トランジスタ素子であって、前記半導体素子のゲート絶縁膜をHf(NO3)4・L(Lは分子性塩基)で示される揮発性原料を、化学気相成長法または原子層制御成長法により前記半導体素子のゲート絶縁膜として形成することを特徴とするMIS型半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板を母材としたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型トランジスタ素子であって、前記トランジスタ素子のゲート絶縁膜をHf(NO3)4・L(Lは分子性塩基)で示される揮発性原料を、化学気相成長法または原子層制御成長法により前記素子のゲート絶縁膜として形成することを特徴とするMIS型トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 B

Fターム (31件)：

5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF09 , 5F140BF10 , 5F140BG27 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK21 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375450 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122174 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
特開平2-014821

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