特許

J-GLOBAL ID：200903026688591257

窒化物半導体発光素子及び光ピックアップ装置

発明者： 谷 善彦 ,  伊藤 茂稔 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-388706
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150568
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 本発明は、前記p層領域への光のしみだしを抑制し良好な光出力特性を有し、かつ、ジッタが十分に低い窒化物半導体発光素子、およびその製造方法および当該窒化物半導体発光素子を用いた光ピックアップ装置を提案することを目的とする。 【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子は、キャリアをトラップして発光する活性層と、該活性層へのキャリアの閉じ込めを行うキャリアブロック層と、前記活性層と前記キャリアブロック層の間に構成される40nm以上の中間層とを、備える窒化物半導体発光素子において、前記中間層の一部に、前記キャリアブロック層に接するとともに、エネルギーギャップが連続的に変化するグレイデッド層が構成され、前記グレイデッド層がAlxGa1-xN(0≦x≦1)層からなることを特徴とする。この構成によると、前記グレイデッド層を構成する材料が、結晶性の良好なAlGaNであるので、前記中間層でのホールキャリアの再結合を低減し、前記活性層へのホールキャリアの注入効率を従来と同等に維持しつつ、ジッタ特性を改善することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

キャリアをトラップして発光する活性層と、該活性層へのキャリアの閉じ込めを行うキャリアブロック層と、前記活性層と前記キャリアブロック層の間に構成される40nm以上の中間層とを、備える窒化物半導体発光素子において、 前記中間層の一部に、前記キャリアブロック層に接するとともに、エネルギーギャップが連続的に変化するグレイデッド層が構成され、 前記グレイデッド層がAlxGa1-xN(0≦x≦1)層からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (10件)：

5F073AA03 ,  5F073AA11 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215147   出願人：富士通株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-223322   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-225975   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 青紫色ハイパワー半導体レーザー