パターン検査方法及びパターン検査装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西脇民雄 , 西村公芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059978
公開番号（公開出願番号）：特開2004-271269
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】大領域の試料のパターンの欠陥検査を行う場合であっても、簡便、迅速、確実に欠陥検査を行うことができるパターン検査方法を提供する。【解決手段】試料に電子線をスキャンさせながら照射することにより試料から発生する荷電粒子に基づき試料像40’、40”を形成し、得られた試料像に基づき試料のパターン40を検査するパターン検査方法において、電子線のスキャン領域を試料像を含む第1領域D1に設定して電子線を試料に対してスキャンさせて第1試料像40’を取得し、電子線のスキャン領域を第1領域D1とは異なり試料像を含む第2領域D2に設定して電子線を試料に対してスキャンさせて第2試料像40”を取得し、第1試料像40’と第2試料像40”とを重ね合わせて合成試料像を求め、予め記憶された試料の参照画像42と合成試料像とを比較して、試料の欠陥検査を行う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

試料に電子線をスキャンさせながら照射することにより前記試料から発生する荷電粒子に基づき試料像を形成し、得られた試料像に基づき試料のパターンを検査するパターン検査方法において、前記電子線のスキャン領域を前記試料像を含む第1領域に設定して前記電子線を前記試料に対してスキャンさせて第1試料像を取得し、前記電子線のスキャン領域を前記第1領域とは異なり前記試料像を含む第2領域に設定して前記電子線を前記試料に対してスキャンさせて第2試料像を取得し、前記第1試料像と前記第2試料像とを重ね合わせて合成試料像を求め、予め記憶された試料の参照画像と前記合成試料像とを比較して、前記試料の欠陥検査を行うことを特徴とするパターン検査方法。

IPC (4件)：

G01N23/225 , G01B15/00 , H01J37/22 , H01L21/66

FI (4件)：

G01N23/225 , G01B15/00 B , H01J37/22 502H , H01L21/66 J

Fターム (35件)：

2F067AA45 , 2F067AA54 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067EE10 , 2F067GG06 , 2F067GG08 , 2F067HH06 , 2F067HH13 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067LL16 , 2F067NN00 , 2F067PP12 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001FA01 , 2G001FA06 , 2G001GA06 , 2G001GA13 , 2G001HA13 , 2G001JA01 , 2G001JA08 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 2G001PA12 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA38 , 4M106DB05 , 4M106DJ18 , 4M106DJ21

引用特許：

審査官引用 (5件)

パタ-ン欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125591 出願人：株式会社日立製作所
画像取得装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-103314 出願人：株式会社東芝
荷電粒子線装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-339386 出願人：株式会社日立製作所

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