特許
J-GLOBAL ID：200903026732767040
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230700
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュメモリ装置において、メモリセル不良を効率良く救済するための冗長メモリセルの構成を提供する。【構成】 行単位のメモリセル群L1,L2,......にて共通ソース線S1,S2,......を設ける。これ等行単位に置換可能な様に、一行の冗長メモリセル群LRを設け、共通ソース線SRで冗長メモリセルのソースを共通接続する。一行目L1のメモリセルに不良があれば、この一行目L1を冗長メモリセル群LRに置換する。置換した一行目L1のメモリセル群には、消去電圧は印加されないので、過剰消去状態は生じず、ディプレッション型にはならないために、一行目L1のメモリセルを介してビット線へのリーク電流はなくなる。よって行単位の代替えが可能となる。
請求項（抜粋）：
マトリックス状に配列され電気的に消去可能でかつ再プログラム可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、マトリックスの同一行のメモリセルに共通に設けられこれ等メモリセルの各ゲートが共通に接続されたワード線と、前記マトリックスの同一列に属するメモリセルに共通に設けられこれ等メモリセルの各ドレインが共通接続されたビット線と、各行毎にメモリセルのソースを共通に夫々接続する共通ソース線と、を含み、所定の1つの行のメモリセル群を代替用冗長メモリセル群としたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 301
, G11C 16/06
, H01L 27/115
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
