特許
J-GLOBAL ID：200903081092842016

磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置

発明者：
吉田 博

吉田 博 について

, 
佐藤 和則

佐藤 和則 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177540
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022904
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】不揮発メモリーとしてのフラッシュメモリーは書き込み速度が遅く、書き換え回数に限界があり、しかも、電力消費量が多い。一方、強誘電体メモリー(FeRAM)は書き換え回数が1012回程度であり、10年間保証になってはいない。また、これらは高密度化が難しい。【構成】p型ハーフメタリック強磁性半導体とn型ハーフメタリック強磁性半導体により非磁性絶縁体原子層を少なくとも一層以上をはさむ構造の、p-i-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードによる整流効果により、もしくは非磁性絶縁体原子層をはさまない構造のp-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードによる整流効果により、MOSトランジスターを含まず、構造が簡単で、高集積化を可能にし、省エネルギーを可能にする磁性半導体を用いた新型磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型ハーフメタリック強磁性半導体とn型ハーフメタリック強磁性半導体とで非磁性絶縁体原子層(i層)を少なくとも一層以上を挟んだ、p-i-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードにより、整流効果を利用したスイッチ効果をTMR素子に持たせたことを特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置。
IPC (5件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (6件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (7件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083KA03 ,  5F083KA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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