特許
J-GLOBAL ID：200903026755737695
微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鈴木 崇生
, 梶崎 弘一
, 尾崎 雄三
, 谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368063
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179514
出願日： 2004年12月20日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、(1)フッ化水素と、(2)硝酸と、(3)ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが5〜5000nm/分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する25°Cでのエッチレートの2倍以上であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、
(1)フッ化水素と、(2)硝酸と、(3)ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを含み、
前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが5〜5000nm/分の範囲内であり、
且つ、前記タングステン膜に対する25°Cでのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する25°Cでのエッチレートの2倍以上であることを特徴とする微細加工処理剤。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, C23F 1/02
, C23F 1/38
, H01L 21/28
, H01L 21/321
H01L21/306 F
, C23F1/02
, C23F1/38
, H01L21/28 E
, H01L21/88 C
4K057WA11
, 4K057WA12
, 4K057WB08
, 4K057WB11
, 4K057WE02
, 4K057WE07
, 4K057WE11
, 4K057WE15
, 4K057WF01
, 4K057WG01
, 4M104BB18
, 4M104BB28
, 4M104BB33
, 4M104DD64
, 5F033HH19
, 5F033HH22
, 5F033HH23
, 5F033HH28
, 5F033HH34
, 5F033QQ08
, 5F033QQ20
, 5F033WW00
, 5F033WW03
, 5F033WW04
, 5F043AA26
, 5F043BB18
, 5F043EE23
, 5F043GG02
