特許

J-GLOBAL ID：200903026770211330

金属-カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法。

発明者： 山▲さき▼ 英亮 ,  松田 司 ,  五味 淳 ,  波多野 達夫 ,  杉浦 正仁 ,  河野 有美子 ,  レゥシンク、ジャート・ジェイ. ,  マックフィーリー、フェントン・アール. ,  マルホトラ、サンドラ・ジー.
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533888
公開番号（公開出願番号）：特表2007-520052
出願日： 2004年09月07日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】 金属-カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。【解決手段】 熱化学気相成長(TCVD)プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。TCVDプロセスは、金属層を堆積させるように金属-カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の1つの実施形態では、金属-カルボニルプリカーサは、W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、およびRu3(CO)12の少なくとも1つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約410°Cの基板温度および約200mTorrのチャンバ圧力で、W(CO)6プリカーサを含むプロセスガスよりW層を堆積させる方法は、提供される。【選択図】

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属層を堆積させる方法であって、 処理チャンバ内に基板を準備することと、 前記処理チャンバ内に、金属-カルボニルプリカーサガスと、希釈ガスおよびキャリヤガスの少なくとも一方とを含むプロセスガスを導入することとを具備し、 前記金属-カルボニルプリカーサガスの流量と、前記プロセスガスの流量との比率が、約0.15未満であり、 熱化学気相成長プロセスによって前記基板上に金属層を堆積させることを更に具備する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/16 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (4件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M

Fターム (38件)：

4K030AA12 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA06 ,  4K030BA12 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11

引用特許：

審査官引用 (6件)

• W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266507   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特許第6444263号
  
• 特許第6444263号
  
• 固体有機金属の供給方法及びその供給装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-066953   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264356   出願人：富士通株式会社
• 特許第6444263号