特許
J-GLOBAL ID：200903026778487580
シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379470
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184724
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 シリコンインゴットを切り屑を出さずに高精度で切断可能な、シリコンインゴット切断装置及びシリコンインゴットの切断方法を提供する。【解決手段】 シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断するシリコンインゴット切断装置(25)において、紫外線のエキシマレーザ光(11)を連続発振するエキシマレーザ装置(1)と、エキシマレーザ光(11)をシリコンインゴット(18)表面に集光照射する集光光学系(24)とを備え、連続発振したエキシマレーザ光(11)を、シリコンインゴット(18)表面に集光照射してこれを割断することによって、シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断することを特徴とするシリコンインゴット切断装置。
請求項（抜粋）：
シリコンインゴット(18)を長手方向と垂直に切断するシリコンインゴット切断装置(25)において、紫外線のエキシマレーザ光(11)を発振するエキシマレーザ装置(1)と、エキシマレーザ光(11)をシリコンインゴット(18)表面に集光照射する集光光学系(24)とを備えたことを特徴とするシリコンインゴット切断装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 611
, B23K 26/00 320
, B28D 5/04
, B23K101:40
H01L 21/304 611 Z
, B23K 26/00 320 E
, B28D 5/04 B
, B23K101:40
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069CA04
, 3C069EA05
, 4E068AE00
, 4E068CA01
, 4E068DA10
, 4E068DB11
審査官引用 (7件)
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特開昭57-173118
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薄膜の形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-072226
出願人：キヤノン株式会社
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単結晶の切断方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-210192
出願人：大見忠弘, 信越半導体株式会社
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引用文献：
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